1．高输入阻抗型

    该类型集成运放的差模输入电阻r_id>(10⁹~10¹²)W，输入偏置电流I_IB为几皮安~几十皮安，故又称为低输入偏置电流型。

    实现这些指标的主要措施，一般是利用FET输入阻抗高、BJT电压增益高的优点，由BJT与FET相结合而构成差分输入级电路，常称为BiFET型。下面以LF356集成运放为例进行分析。为了便于分析，将LF356电路中的恒定电流都用恒流源代替，得到简化的原理电路如图XX_01所示。

    值得指出的是，图XX_01中全部电流源画成理想的，即r_电流源= ，而实际上电流源的内阻为有限值。

    LF356是由P沟道JFET T₁和T₂构成双端输入、双端输出带恒流源负载（I₁、I₂）的差分输入级，本级提供了约30pA的低输入偏置电流和约10¹²W的高输入电阻，T₁、T₂的工作电流I_1,2是由多集电极的BJT管提供（图中略）；中间电压放大级由BJT T₅、T₆组成的双端输入、单端输出带恒流源（I₆）负载的差分式放大电路，和由T₇组成的电压跟随器构成；由NPN型BJT T₉和PNP型复合管（由P沟道JFET T₈与NPN型BJT T₁₀构成）组成互补对称输出级。为了使电路处于甲乙类工作状态，利用二极管D₁接于T₉的基极和T₈的栅极g₈之间，给T₉、T₈提供一起始偏压。

    T₁₁、R和D₂构成输出电流过载保护环节。R为过载电流取样电阻。当输出端“拉电流”（流向输出端，如i_O实线所示）大于20mA时，T₁₁导通而分流i_C11，使T₇的基极电流i_B7减小，i_E9减小，抑制了输出电流的增大。同样，当“灌电流”（流入输出端，如i_O虚线所示）大于20mA时，D₂导通，T₈的栅极电位v_g8上升，T₁₀的基极电位v_B10降低，i_C10减小，抑制了输出电流的增大。

    P沟道JEFT T₃、T₄和外接电位器R_p构成两个电流源，R_p可调节T₃、T₄两管漏极电流的相对比例，从而改变送入中间电压放大级的输入电流，实现失调电流的补偿。电容C为电路内部的密勒补偿电容，以增大运放的单位增益带宽BW_G（f_T）。

    LF356各级的偏置电流都较大，使放大电路对电容的充电电流较大，因此S_R和f_T都较大，电路的总电流和功耗较大。其主要参数见表0640001XX_01。与LF356性能类似的有LF355、LF347（四运放）。更高输入电阻的还有全MOS-FET的CA3130。更小偏置电流的有AD515、LF0052等。

    由FET作输入级，不仅输入电阻高，输入偏置电流低，而且具有高速、宽带和低噪声等优点，但失调电压较大。

    目前高输入阻抗型运放广泛用于生物医学电信号测量的精密放大电路、有源滤波器、取样-保持放大器、对数和反对数放大器和模数、数模转换器等。

2．高精度、低漂移型

    这种类型的运放，一般用于毫伏量级或更低的微弱信号的精密检测、精密模拟计算、高精度稳压电源及自动控制仪表中。要求DV_IO/DT<2mV/℃、DI_IO/DT<200pA/℃、A_VO≥120dB、K_CMR≥110dB，v_n（噪声电压）<5nV/ 。通常实现这些功能的措施是，在电路结构上除采用超b BJT管和低噪声差分式输入级外，还采用热匹配设计和低温度系数的精密电阻，或在电路中加入自动控温电路以减小温漂。此外，近年来利用调制型的自动稳零放大器，获得了更低的温度系数（0.1mV/℃）。目前产品有AD508、OP-27（DV_IO/DT=0.2mV/℃）及由MOSFET组成的斩波稳零型的超低漂移器件，如ICL7650（DV_IO/DT=0.01mV/℃），但它的输出电阻较大，所以负载电阻不宜太小。

3．高速型

    对这种类型的运放，要求转换速率S_R>30V/ms，最高可达几百伏/微秒，单位增益带宽BW_G>10MHz。一般用于快速A/D和D/A转换器、有源滤波器、高速取样-保持电路、锁相环、精密比较器和视频放大器中。实现高速的主要措施是，在信号通道中尽量采用NPN型管，以提高转换速率；同时加大工作电流，以使电路中各种电容的电压变化加快；或在 电路结构上采用FET和BJT相兼容的BiFET，或用全MOSFET结构，使电路的输入动态范围加大，因而电路转换速率也增加。目前产品有mA715、LH0032和AD9618等，其中mA715的S_R<100 V/ms，BW_G=65MHz，而AD9618的S_R高达1800V/ms，BW_G=8 GHz。

4．低功耗型

    对于这种类型的运放，要求在电源电压±15V时，最大功耗不大于6mW；或要求工作在低电源电压（如1.5~4V）时，具有低的静态功耗和保持良好的电气性能（如A_VO=80~100dB）。为此，在电路结构上，一般采用外接偏置电阻和用有源负载代替高阻值的电阻，以保证降低静态偏置电流和总功耗，使电路处于最佳工作状态，以获得良好的电气性能。目前产品有mPC253、ICL7641及CA3078等，其中mPC253的P_C<0.6mW，V_CC=（±3~±18）V，A_VO=110dB。目前产品功耗已达微瓦级，如ICL7600的V_CC（V_EE）为1.5V，P_C=10mW。

低功耗型运放一般用于对能源有严格限制遥测、遥感、生物医学和空间技术研究的设备中。

5．高压型

    为得到高的输出电压或大的输出功率，在电路设计和制作上需要解决BJT的耐压、动态工作范围等问题。为此在电路结构上利用BJT的cb结和横向BJT（PNP型）的耐高压性能，或用单管的串接方式来提高耐压，或用FET作为输入级，耐压指标可提高到300V左右。此外，为使运放工作在高电压和大电流（或大功率）的情况下，电路中加入一些特殊保护电路。目前产品有D41、LM143及HA2645等，其中HA2645的参数是：V_CC＝V_EE＝（48~80）V，V_omax=74V，A_VO=（160~200）dB，V_IO≤6mV，V_id=37V，而D41型的电源电压可达到±150V，V_icmax=±125V。

   除了以上几种专用型集成运放外，还有互导型LM308，程控型LM4250、mA776，电流型LM1900及仪用放大器LH0036、AD522等。表0640001 XX_01列举了典型集成运放的主要参数